EPC2107ENGRT
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| Numero parte | EPC2107ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2107ENGRT |
| Descrizione | GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.140 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2107ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2107ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
EPC2107ENGRT, EPC2107ENGRT Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 2.386,93 KB)
  
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EPC2107ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 9-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
