IPL65R165CFDAUMA1
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| Numero parte | IPL65R165CFDAUMA1 |
| PNEDA Part # | IPL65R165CFDAUMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 4VSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPL65R165CFDAUMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPL65R165CFDAUMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPL65R165CFDAUMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.3A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
| Pacchetto / Custodia | 4-PowerTSFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3430pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4860pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MX |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5340pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 11.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
