IPL65R165CFDAUMA1
Solo per riferimento
| Numero parte | IPL65R165CFDAUMA1 |
| PNEDA Part # | IPL65R165CFDAUMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 4VSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPL65R165CFDAUMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IPL65R165CFDAUMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IPL65R165CFDAUMA1 Datasheet
- where to find IPL65R165CFDAUMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA1
- IPL65R165CFDAUMA1 PDF Datasheet
- IPL65R165CFDAUMA1 Stock
- IPL65R165CFDAUMA1 Pinout
- Datasheet IPL65R165CFDAUMA1
- IPL65R165CFDAUMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPL65R165CFDAUMA1 Price
- IPL65R165CFDAUMA1 Distributor
IPL65R165CFDAUMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.3A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
| Pacchetto / Custodia | 4-PowerTSFN |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 11.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5340pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8320pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 333W (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
