IPI12CN10N G
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Numero parte | IPI12CN10N G |
PNEDA Part # | IPI12CN10N-G |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.140 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPI12CN10N G Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPI12CN10N G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPI12CN10N G Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4320pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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