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IKD10N60RFAATMA1

IKD10N60RFAATMA1

Solo per riferimento

Numero parte IKD10N60RFAATMA1
PNEDA Part # IKD10N60RFAATMA1
Descrizione IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IKD10N60RFAATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIKD10N60RFAATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IKD10N60RFAATMA1, IKD10N60RFAATMA1 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.749,69 KB)
PDFIKD10N60RFAATMA1 Datasheet Copertura
IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 2 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 3 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 4 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 5 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 6 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 7 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 8 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 9 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 10 IKD10N60RFAATMA1 Datasheet Pagina 11

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IKD10N60RFAATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Potenza - Max150W
Switching Energy190µJ (on), 160µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge64nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C12ns/168ns
Condizione di test400V, 10A, 26Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)72ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

465µJ (on), 635µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

165nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/85ns

Condizione di test

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRG4RC10KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

160µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/51ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

STGF19NC60KD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

165µJ (on), 255µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/105ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

IRGP6690D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Potenza - Max

483W

Switching Energy

2.4mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

85ns/222ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IRG6S330UPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

86nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/120ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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