APT50GP60B2DQ2G
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| Numero parte | APT50GP60B2DQ2G |
| PNEDA Part # | APT50GP60B2DQ2G |
| Descrizione | IGBT 600V 150A 625W TMAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT50GP60B2DQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT50GP60B2DQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT50GP60B2DQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 190A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 625W |
| Switching Energy | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 165nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/85ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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