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IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1

Solo per riferimento

Numero parte IKD03N60RFATMA1
PNEDA Part # IKD03N60RFATMA1
Descrizione IGBT 600V 6.5A TO252-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IKD03N60RFATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIKD03N60RFATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IKD03N60RFATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6.5A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
Potenza - Max53.6W
Switching Energy50µJ (on), 40µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge17.1nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C10ns/128ns
Condizione di test400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)31ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

160µJ (on), 200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

97nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/65ns

Condizione di test

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

AOTF15B65M2

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Potenza - Max

36W

Switching Energy

290µJ (on), 200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/94ns

Condizione di test

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

298ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

35A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

-

Switching Energy

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

800V, 35A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

36ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AB

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

183A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

307A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Potenza - Max

780W

Switching Energy

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

294nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/212ns

Condizione di test

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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