IDT71V65802S100BQ
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| Numero parte | IDT71V65802S100BQ |
| PNEDA Part # | IDT71V65802S100BQ |
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA |
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.930 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDT71V65802S100BQ Risorse
| Brand | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDT71V65802S100BQ |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IDT71V65802S100BQ, IDT71V65802S100BQ Datasheet
(Totale pagine: 26, Dimensioni: 489,64 KB)
  
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IDT71V65802S100BQ Specifiche
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 100MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 5ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.465V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 64Kb (4K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP |
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