Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS6C3216A-55BINTR

AS6C3216A-55BINTR

Solo per riferimento

Numero parte AS6C3216A-55BINTR
PNEDA Part # AS6C3216A-55BINTR
Descrizione IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS6C3216A-55BINTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS6C3216A-55BINTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS6C3216A-55BINTR, AS6C3216A-55BINTR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 645,08 KB)
PDFAS6C3216A-55BIN Datasheet Copertura
AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 2 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 3 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 4 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 5 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 6 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 7 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 8 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 9 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 10 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS6C3216A-55BINTR Datasheet
  • where to find AS6C3216A-55BINTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55BINTR
  • AS6C3216A-55BINTR PDF Datasheet
  • AS6C3216A-55BINTR Stock

  • AS6C3216A-55BINTR Pinout
  • Datasheet AS6C3216A-55BINTR
  • AS6C3216A-55BINTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS6C3216A-55BINTR Price
  • AS6C3216A-55BINTR Distributor

AS6C3216A-55BINTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (8x10)

I prodotti a cui potresti essere interessato

IDT71024S20TY

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

IS61LPS51236A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

7130SA55TF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (10x10)

AT24C512C-CUM-T-923

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFBGA, DSBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-dBGA (2.35x3.73)

Venduto di recente

MC68HC908JB8ADW

MC68HC908JB8ADW

NXP

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 28SOIC

MT41J128M16HA-15E:D

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

UCLAMP3301D.TCT

UCLAMP3301D.TCT

Semtech

TVS DIODE 3.3V 9.5V SOD323

MAX3087EESA+

MAX3087EESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

NC7SZ04P5X

NC7SZ04P5X

ON Semiconductor

IC INVERTER 1CH 1-INP SC70-5

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MX29GL512FLT2I-10Q

MX29GL512FLT2I-10Q

Macronix

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

STM32F103C8T6

STM32F103C8T6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

FA-20H 12.0000MD30Z-K3

EPSON

CRYSTAL 12.00 MHZ 10.0PF SMD

ES2D

ES2D

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

C1210C106M6PACTU

C1210C106M6PACTU

KEMET

CAP CER 10UF 35V X5R 1210