DMN2016LFG-7
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| Numero parte | DMN2016LFG-7 |
| PNEDA Part # | DMN2016LFG-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 174.336 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2016LFG-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2016LFG-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2016LFG-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1472pF @ 10V |
| Potenza - Max | 770mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerUDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN3030-8 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Potenza - Max 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 65.9pF @ 25V Potenza - Max 390mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1310-6 (Type B) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1241pF @ 15V Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
