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HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Solo per riferimento

Numero parte HGTG18N120BND
PNEDA Part # HGTG18N120BND
Descrizione IGBT 1200V 54A 390W TO247
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 19.692
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGTG18N120BND Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGTG18N120BND
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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HGTG18N120BND Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)54A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 18A
Potenza - Max390W
Switching Energy1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge165nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/170ns
Condizione di test960V, 18A, 3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

468W

Switching Energy

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

158nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/152ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

488ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT68GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

121A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

520W

Switching Energy

715µJ (on), 607µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

198nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/133ns

Condizione di test

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 [L]

STGP6M65DF2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

M

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Potenza - Max

88W

Switching Energy

40µJ (on), 136µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/86ns

Condizione di test

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

720µJ (on), 330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

64nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/62ns

Condizione di test

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

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Gate Charge

12nC

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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