APT68GA60LD40
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| Numero parte | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 193 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APT68GA60LD40 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT68GA60LD40 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT68GA60LD40 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 121A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 202A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Potenza - Max | 520W |
| Switching Energy | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 198nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 21ns/133ns |
| Condizione di test | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
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