HGTD1N120BNS9A
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| Numero parte | HGTD1N120BNS9A |
| PNEDA Part # | HGTD1N120BNS9A |
| Descrizione | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 47.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTD1N120BNS9A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTD1N120BNS9A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
HGTD1N120BNS9A, HGTD1N120BNS9A Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 217,31 KB)
  
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HGTD1N120BNS9A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 5.3A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 6A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Potenza - Max | 60W |
| Switching Energy | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/67ns |
| Condizione di test | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
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