HGTD1N120BNS9A Datasheet
HGTD1N120BNS9A Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
HGTD1N120BNS9A
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 5.3A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A Potenza - Max 60W Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 14nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 15ns/67ns Condizione di test 960V, 1A, 82Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA |
