HGT1S20N60A4S9A
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| Numero parte | HGT1S20N60A4S9A |
| PNEDA Part # | HGT1S20N60A4S9A |
| Descrizione | IGBT 600V 70A 290W TO263AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.104 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGT1S20N60A4S9A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGT1S20N60A4S9A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
HGT1S20N60A4S9A, HGT1S20N60A4S9A Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 904,08 KB)
  
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HGT1S20N60A4S9A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 70A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Potenza - Max | 290W |
| Switching Energy | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/73ns |
| Condizione di test | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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