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HFA3128BZ96

HFA3128BZ96

Solo per riferimento

Numero parte HFA3128BZ96
PNEDA Part # HFA3128BZ96
Descrizione RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.412
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3128BZ96 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3128BZ96
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3128BZ96, HFA3128BZ96 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datasheet Copertura
HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 2 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 3 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 4 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 5 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 6 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 7 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 8 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 9 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 10 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 11

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HFA3128BZ96 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor5 PNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M214

Pacchetto dispositivo fornitore

M214

BFP720FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

10.5dB ~ 28dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MS2473

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB

Potenza - Max

2300W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

BFS17PE6752HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

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