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BFS17PE6752HTSA1

BFS17PE6752HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFS17PE6752HTSA1
PNEDA Part # BFS17PE6752HTSA1
Descrizione RF TRANS NPN SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.394
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS17PE6752HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS17PE6752HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFS17PE6752HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.9dB

Potenza - Max

8750W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

55TU-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55TU-1

2SC4808G0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

Guadagno

11dB ~ 14dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

JTDB75

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 8.2dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

62089

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

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