GT10G131(TE12L,Q)
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| Numero parte | GT10G131(TE12L,Q) |
| PNEDA Part # | GT10G131-TE12L-Q |
| Descrizione | IGBT 400V 1W 8-SOIC |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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GT10G131(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GT10G131(TE12L,Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
GT10G131(TE12L, GT10G131(TE12L Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 226,99 KB)
  
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GT10G131(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 400V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4V, 200A |
| Potenza - Max | 1W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 3.1µs/2µs |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 7A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy 62µJ (on), 140µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP |
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