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IXBP5N160G

IXBP5N160G

Solo per riferimento

Numero parte IXBP5N160G
PNEDA Part # IXBP5N160G
Descrizione IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.574
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBP5N160G Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBP5N160G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBP5N160G, IXBP5N160G Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 39,95 KB)
PDFIXBH5N160G Datasheet Copertura
IXBH5N160G Datasheet Pagina 2

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IXBP5N160G Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5.7A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic7.2V @ 15V, 3A
Potenza - Max68W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge26nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test960V, 3A, 47Ohm, 10V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

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440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

IRGP4263D1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

Potenza - Max

325W

Switching Energy

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

145nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

70ns/140ns

Condizione di test

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRGP4063D1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Potenza - Max

330W

Switching Energy

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/160ns

Condizione di test

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IRG4RC10UDTRP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

140µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/87ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

IKB03N120H2ATMA1

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Gate Charge

22nC

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