FST6315M
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| Numero parte | FST6315M |
| PNEDA Part # | FST6315M |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.004 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FST6315M Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FST6315M |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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FST6315M Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 15V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 15V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | D61-3M |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D61-3M |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 600A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
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