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FS50R17KE3B17BOSA1

FS50R17KE3B17BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FS50R17KE3B17BOSA1
PNEDA Part # FS50R17KE3B17BOSA1
Descrizione MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FS50R17KE3B17BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFS50R17KE3B17BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FS50R17KE3B17BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)82A
Potenza - Max345W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-Pak

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

VS-GA200HS60S1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

480A

Potenza - Max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.21V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

32.5nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-Pak

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

IRG5U75HF12A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

540W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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