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F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte F4100R12KS4BOSA1
PNEDA Part # F4100R12KS4BOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

F4100R12KS4BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteF4100R12KS4BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
F4100R12KS4BOSA1, F4100R12KS4BOSA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 515,92 KB)
PDFF4100R12KS4BOSA1 Datasheet Copertura
F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 2 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 3 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 4 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 5 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 6 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 7 F4100R12KS4BOSA1 Datasheet Pagina 8

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F4100R12KS4BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)130A
Potenza - Max660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.75V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce6.8nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

7PM-GA

Pacchetto dispositivo fornitore

7PM-GA

FMG1G50US60H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.46nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

7PM-GA

Pacchetto dispositivo fornitore

7PM-GA

FF1800R17IP5BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3+

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT30TL60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APT60GT60JR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

93A

Potenza - Max

378W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Corrente - Taglio collettore (Max)

80µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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