FQD12P10TM
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Numero parte | FQD12P10TM |
PNEDA Part # | FQD12P10TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.250 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQD12P10TM Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQD12P10TM |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQD12P10TM Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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