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FDY3001NZ

FDY3001NZ

Solo per riferimento

Numero parte FDY3001NZ
PNEDA Part # FDY3001NZ
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDY3001NZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDY3001NZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDY3001NZ, FDY3001NZ Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 211,71 KB)
PDFFDY3001NZ Datasheet Copertura
FDY3001NZ Datasheet Pagina 2 FDY3001NZ Datasheet Pagina 3 FDY3001NZ Datasheet Pagina 4 FDY3001NZ Datasheet Pagina 5 FDY3001NZ Datasheet Pagina 6

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FDY3001NZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Potenza - Max446mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563F

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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AUIRF7379Q

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTC90TAM60TPG

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

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