FDV303N_NB9U008
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| Numero parte | FDV303N_NB9U008 |
| PNEDA Part # | FDV303N_NB9U008 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDV303N_NB9U008 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDV303N_NB9U008 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDV303N_NB9U008, FDV303N_NB9U008 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 147,35 KB)
  
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FDV303N_NB9U008 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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