FDV303N_NB9U008
Solo per riferimento
| Numero parte | FDV303N_NB9U008 |
| PNEDA Part # | FDV303N_NB9U008 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
FDV303N_NB9U008 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | FDV303N_NB9U008 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDV303N_NB9U008, FDV303N_NB9U008 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 147,35 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- FDV303N_NB9U008 Datasheet
- where to find FDV303N_NB9U008
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDV303N_NB9U008
- FDV303N_NB9U008 PDF Datasheet
- FDV303N_NB9U008 Stock
- FDV303N_NB9U008 Pinout
- Datasheet FDV303N_NB9U008
- FDV303N_NB9U008 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDV303N_NB9U008 Price
- FDV303N_NB9U008 Distributor
FDV303N_NB9U008 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (massimo) 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 8V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-75-6L Single Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-75-6L |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 0.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 474pF @ 100V Funzione FET Super Junction Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
