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FDS6894AZ

FDS6894AZ

Solo per riferimento

Numero parte FDS6894AZ
PNEDA Part # FDS6894AZ
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS6894AZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS6894AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS6894AZ, FDS6894AZ Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 77,43 KB)
PDFFDS6894AZ Datasheet Copertura
FDS6894AZ Datasheet Pagina 2 FDS6894AZ Datasheet Pagina 3 FDS6894AZ Datasheet Pagina 4 FDS6894AZ Datasheet Pagina 5

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FDS6894AZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1455pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W, 2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

TC8220K6-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

12-DFN (4x4)

FDG1024NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

642pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC, 10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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