FDG1024NZ
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| Numero parte | FDG1024NZ |
| PNEDA Part # | FDG1024NZ |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 44.664 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDG1024NZ Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDG1024NZ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDG1024NZ Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SC-70-6) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V Potenza - Max 1.15W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26 |
Produttore Serie - Tipo FET - Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 98pF @ 14V Potenza - Max 2.86W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 24-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 25V Potenza - Max 2.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
