FDMS9600S
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| Numero parte | FDMS9600S |
| PNEDA Part # | FDMS9600S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.954 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS9600S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS9600S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS9600S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A, 16A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1705pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (5x6), Power56 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 50V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1061pF @ 25V Potenza - Max 38W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V Potenza - Max 10W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 70V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 165A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 480nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-240AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-240AA |
