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FDMS9600S

FDMS9600S

Solo per riferimento

Numero parte FDMS9600S
PNEDA Part # FDMS9600S
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.954
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS9600S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS9600S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMS9600S, FDMS9600S Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 407,15 KB)
PDFFDMS9600S Datasheet Copertura
FDMS9600S Datasheet Pagina 2 FDMS9600S Datasheet Pagina 3 FDMS9600S Datasheet Pagina 4 FDMS9600S Datasheet Pagina 5 FDMS9600S Datasheet Pagina 6 FDMS9600S Datasheet Pagina 7 FDMS9600S Datasheet Pagina 8 FDMS9600S Datasheet Pagina 9 FDMS9600S Datasheet Pagina 10

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FDMS9600S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1705pF @ 15V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (5x6), Power56

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1061pF @ 25V

Potenza - Max

38W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

IRF7325TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SQJ940EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

896pF @ 20V

Potenza - Max

48W, 43W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SI5944DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 20V

Potenza - Max

10W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® ChipFet Dual

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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