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FDMS7650DC

FDMS7650DC

Solo per riferimento

Numero parte FDMS7650DC
PNEDA Part # FDMS7650DC
Descrizione MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 151.482
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS7650DC Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS7650DC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS7650DC, FDMS7650DC Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 341,97 KB)
PDFFDMS7650DC Datasheet Copertura
FDMS7650DC Datasheet Pagina 2 FDMS7650DC Datasheet Pagina 3 FDMS7650DC Datasheet Pagina 4 FDMS7650DC Datasheet Pagina 5 FDMS7650DC Datasheet Pagina 6 FDMS7650DC Datasheet Pagina 7 FDMS7650DC Datasheet Pagina 8 FDMS7650DC Datasheet Pagina 9

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FDMS7650DC Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieDual Cool™, PowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C47A (Ta), 100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.99mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14765pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDual Cool™56
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1093pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

IPB100N04S303ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT38M50J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

357W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

IRFR825PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1346pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

119W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ES6U3T2CR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WEMT

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Venduto di recente

T491X476K035AT

T491X476K035AT

KEMET

CAP TANT 47UF 10% 35V 2917

CG0603MLC-05LE

CG0603MLC-05LE

Bourns

VARISTOR 0603

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

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IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

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DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

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SENSOR ANGLE 360DEG SMD

5CEBA9F27C7N

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IC FPGA 336 I/O 672FBGA

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TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

MF-R090

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VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

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DS5000T-32-16+

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