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FDMS3626S

FDMS3626S

Solo per riferimento

Numero parte FDMS3626S
PNEDA Part # FDMS3626S
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.430
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS3626S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS3626S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMS3626S, FDMS3626S Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 450,45 KB)
PDFFDMS3626S Datasheet Copertura
FDMS3626S Datasheet Pagina 2 FDMS3626S Datasheet Pagina 3 FDMS3626S Datasheet Pagina 4 FDMS3626S Datasheet Pagina 5 FDMS3626S Datasheet Pagina 6 FDMS3626S Datasheet Pagina 7 FDMS3626S Datasheet Pagina 8 FDMS3626S Datasheet Pagina 9 FDMS3626S Datasheet Pagina 10 FDMS3626S Datasheet Pagina 11

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FDMS3626S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17.5A, 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @ 13V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePower56

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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BSC0923NDIATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

AlphaMOS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

Potenza - Max

24W, 75W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

DMN4031SSDQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 20V

Potenza - Max

1.42W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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