FDME430NT
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| Numero parte | FDME430NT |
| PNEDA Part # | FDME430NT |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDME430NT Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDME430NT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDME430NT Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Pacchetto / Custodia | 6-PowerUFDFN |
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Produttore STMicroelectronics Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2335pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 214W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10100pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SM(W) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
