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FDMC4D9P20X8

FDMC4D9P20X8

Solo per riferimento

Numero parte FDMC4D9P20X8
PNEDA Part # FDMC4D9P20X8
Descrizione FET -20V -75A
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.606
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC4D9P20X8 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC4D9P20X8
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMC4D9P20X8, FDMC4D9P20X8 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 196,23 KB)
PDFFDMC4D9P20X8 Datasheet Copertura
FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 2 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 3 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 4 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 5 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 6 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 7 FDMC4D9P20X8 Datasheet Pagina 8

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FDMC4D9P20X8 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

MMBF0201NLT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Produttore

IXYS

Serie

Polar™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

695W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

DMN31D5UFZ-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22.2pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

393mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X2-DFN0606-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

FDMS7650DC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.99mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14765pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual Cool™56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRFL9110TR

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Venduto di recente

NC7WZ07P6X

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ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

CDBK0520L-HF

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Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

ISL8206MIRZ

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Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A

PBSS5250X,115

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Nexperia

TRANS PNP 50V 2A SOT89

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

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Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

74FCT3807SOGI

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IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20SOIC

ADUM7641CRQZ

ADUM7641CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

PE-64934NL

PE-64934NL

Pulse Electronics Network

XFRMR T1/CEPT/ISDN-PRI 1:1

REF195GSZ

REF195GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

LT1308BIS8#TRPBF

LT1308BIS8#TRPBF

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IC REG BST SEPIC ADJ 2A 8SOIC

LTST-C190TBKT

LTST-C190TBKT

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LED BLUE CLEAR CHIP SMD