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BUK9K32-100EX

BUK9K32-100EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K32-100EX
PNEDA Part # BUK9K32-100EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K32-100EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K32-100EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K32-100EX, BUK9K32-100EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 756,06 KB)
PDFBUK9K32-100EX Datasheet Copertura
BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 2 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 3 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 4 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 5 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 6 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 7 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 8 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 9 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 10 BUK9K32-100EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K32-100EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3168pF @ 25V
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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NTLUD3191PZTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.6x1.6)

UPA2324T1P-E1-A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SI4804CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTMFD4C88NT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A, 14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

ALD210800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

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