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FDC640P_F095

FDC640P_F095

Solo per riferimento

Numero parte FDC640P_F095
PNEDA Part # FDC640P_F095
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC640P_F095 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC640P_F095
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDC640P_F095, FDC640P_F095 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 173,62 KB)
PDFFDC640P_F095 Datasheet Copertura
FDC640P_F095 Datasheet Pagina 2 FDC640P_F095 Datasheet Pagina 3 FDC640P_F095 Datasheet Pagina 4 FDC640P_F095 Datasheet Pagina 5

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FDC640P_F095 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2569pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STW26N60M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

169W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

HUF75531SK8T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6679

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3939pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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