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FDBL0090N40

FDBL0090N40

Solo per riferimento

Numero parte FDBL0090N40
PNEDA Part # FDBL0090N40
Descrizione MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDBL0090N40 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDBL0090N40
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDBL0090N40, FDBL0090N40 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 576,43 KB)
PDFFDBL0090N40 Datasheet Copertura
FDBL0090N40 Datasheet Pagina 2 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 3 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 4 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 5 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 6 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 7 FDBL0090N40 Datasheet Pagina 8

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FDBL0090N40 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C240A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs188nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)357W (Tj)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HPSOF
Pacchetto / Custodia8-PowerSFN

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17Ohm @ 375mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFR9214

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIA110DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta), 12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6

IPW80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 360µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 500V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

101W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

TP90H180PS

Transphorm

Produttore

Transphorm

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

205mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 8V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 600V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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