TP90H180PS
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| Numero parte | TP90H180PS |
| PNEDA Part # | TP90H180PS |
| Descrizione | GANFET N-CH 900V 15A TO220AB |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.864 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TP90H180PS Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TP90H180PS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TP90H180PS Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 980mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore CPT3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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