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FCAB21520L1

FCAB21520L1

Solo per riferimento

Numero parte FCAB21520L1
PNEDA Part # FCAB21520L1
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 19.626
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FCAB21520L1 Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFCAB21520L1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FCAB21520L1, FCAB21520L1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 872,01 KB)
PDFFCAB21520L1 Datasheet Copertura
FCAB21520L1 Datasheet Pagina 2 FCAB21520L1 Datasheet Pagina 3 FCAB21520L1 Datasheet Pagina 4 FCAB21520L1 Datasheet Pagina 5 FCAB21520L1 Datasheet Pagina 6

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FCAB21520L1 Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 1.64mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5250pF @ 10V
Potenza - Max3.8W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore10-SMD

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

701pF @ 25V

Potenza - Max

32W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

APTM10DUM02G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

495A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

NTMD5836NLR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 20V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

969pF @ 30V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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