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BUK9K25-40EX

BUK9K25-40EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K25-40EX
PNEDA Part # BUK9K25-40EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 153.114
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K25-40EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K25-40EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K25-40EX, BUK9K25-40EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 742,79 KB)
PDFBUK9K25-40EX Datasheet Copertura
BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 2 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 3 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 4 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 5 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 6 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 7 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 8 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 9 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 10 BUK9K25-40EX Datasheet Pagina 11

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BUK9K25-40EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds701pF @ 25V
Potenza - Max32W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 20V

Potenza - Max

46.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A, 32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1143pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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