EPC2108
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| Numero parte | EPC2108 |
| PNEDA Part # | EPC2108 |
| Descrizione | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.286 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2108 Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2108 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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EPC2108 Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V, 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 9-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-BGA (1.35x1.35) |
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