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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

Solo per riferimento

Numero parte EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
PNEDA Part # EDB1332BDBH-1DAUT-F-R-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 3.330
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR, EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR Datasheet (Totale pagine: 145, Dimensioni: 1.817,13 KB)
PDFEDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Copertura
EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 2 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 3 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 4 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 5 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 6 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 7 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 8 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 9 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 10 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 11

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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-VFBGA (10x11.5)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (6x9)

MT53D4DAHR-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S99MS02G10019

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NM93CS66EN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

CY62256VNLL-70ZXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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