DMT2005UDV-13
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| Numero parte | DMT2005UDV-13 |
| PNEDA Part # | DMT2005UDV-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMT2005UDV-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMT2005UDV-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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DMT2005UDV-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 24V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 10V |
| Potenza - Max | 900mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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