FF6MR12W2M1B11BOMA1
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| Numero parte | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| PNEDA Part # | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 200A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.226 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY2BM-2 |
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