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JANTX2N7334

JANTX2N7334

Solo per riferimento

Numero parte JANTX2N7334
PNEDA Part # JANTX2N7334
Descrizione MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX2N7334 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX2N7334
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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JANTX2N7334 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/597
Tipo FET4 N-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitoreMO-036AB

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Potenza - Max

380mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

IRF7329PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

ZXMN2AMCTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

299pF @ 15V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

W-DFN3020-8

SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2832pF @ 50V

Potenza - Max

187W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 8 x 8 Dual

FDS8928A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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GP10J-E3/54

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