Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMNH6022SSDQ-13

DMNH6022SSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH6022SSDQ-13
PNEDA Part # DMNH6022SSDQ-13
Descrizione MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH6022SSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH6022SSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH6022SSDQ-13, DMNH6022SSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 315,39 KB)
PDFDMNH6022SSDQ-13 Datasheet Copertura
DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMNH6022SSDQ-13 Datasheet
  • where to find DMNH6022SSDQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMNH6022SSDQ-13
  • DMNH6022SSDQ-13 PDF Datasheet
  • DMNH6022SSDQ-13 Stock

  • DMNH6022SSDQ-13 Pinout
  • Datasheet DMNH6022SSDQ-13
  • DMNH6022SSDQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMNH6022SSDQ-13 Price
  • DMNH6022SSDQ-13 Distributor

DMNH6022SSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.1A, 22.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2127pF @ 25V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

I prodotti a cui potresti essere interessato

NVMFD5853NWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

AO6800

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

PHP225,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTHD3102CT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

DMP2900UW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Venduto di recente

B540C-13-F

B540C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC

NJM2121M

NJM2121M

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

A5984GLPTR-T

A5984GLPTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC MTR DRV BIPOLAR 8-40V 24TSSOP

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP

EEE-FK1V100R

EEE-FK1V100R

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD

MAX9910EXK+T

MAX9910EXK+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5

PIC12F609-I/SN

PIC12F609-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

MMBD4148

MMBD4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

Bourns

TVS DIODE 24V 40V SOT23