DMN2320UFB4-7B
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| Numero parte | DMN2320UFB4-7B |
| PNEDA Part # | DMN2320UFB4-7B |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.850 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN2320UFB4-7B Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2320UFB4-7B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMN2320UFB4-7B, DMN2320UFB4-7B Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 189,88 KB)
  
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DMN2320UFB4-7B Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 71pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
| Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
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