DMN2320UFB4-7B
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Numero parte | DMN2320UFB4-7B |
PNEDA Part # | DMN2320UFB4-7B |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.850 |
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DMN2320UFB4-7B Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMN2320UFB4-7B |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
DMN2320UFB4-7B, DMN2320UFB4-7B Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 189,88 KB)
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DMN2320UFB4-7B Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 71pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520mW (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
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