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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMHT6016LFJ-13
PNEDA Part # DMHT6016LFJ-13
Descrizione MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.044
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMHT6016LFJ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMHT6016LFJ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMHT6016LFJ-13, DMHT6016LFJ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 412,2 KB)
PDFDMHT6016LFJ-13 Datasheet Copertura
DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 2 DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 3 DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 4 DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 5 DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 6 DMHT6016LFJ-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMHT6016LFJ-13 Distributor

DMHT6016LFJ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET4 N-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia12-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreV-DFN5045-12

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Potenza - Max

1.3W, 1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 935µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

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