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FDQ7238AS

FDQ7238AS

Solo per riferimento

Numero parte FDQ7238AS
PNEDA Part # FDQ7238AS
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDQ7238AS Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDQ7238AS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDQ7238AS, FDQ7238AS Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 415,21 KB)
PDFFDQ7238AS Datasheet Copertura
FDQ7238AS Datasheet Pagina 2 FDQ7238AS Datasheet Pagina 3 FDQ7238AS Datasheet Pagina 4 FDQ7238AS Datasheet Pagina 5 FDQ7238AS Datasheet Pagina 6 FDQ7238AS Datasheet Pagina 7 FDQ7238AS Datasheet Pagina 8 FDQ7238AS Datasheet Pagina 9

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FDQ7238AS Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 15V
Potenza - Max1.3W, 1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

APTM100H18FG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

43A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

FDC6321C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

680mA, 460mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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